SISF20DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 41А; Idm: 100А

SISF20DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

414.97 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
Цена
288.27 ₽
211.73 ₽
196.43 ₽
193.03 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SISF20DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 41А; Idm: 100А" 1.

Артикул производителя
SISF20DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
33нC
Код производителя
SISF20DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
44,4Вт
Сопротивление в открытом состоянии
18,5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Ток стока
41А
Ток стока в импульсном режиме
100А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России