SISH402DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт

SISH402DN-T1-GE3
‍143‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
100+
Цена
132 ₽
125 ₽
112 ₽
96 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SISH402DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт" 1.

Артикул производителя
SISH402DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
42нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SISH402DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
33Вт
Сопротивление в открытом состоянии
8мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
35А
Ток стока в импульсном режиме
70А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены