Москва
 
+7 (993) 080-09-37
 

SISH407DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -25А; Idm: -40А

Написать отзыв
SISH407DN-T1-GE3
15057 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
116.48 ₽
103.22 ₽
91.86 ₽
86.17 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SISH407DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -25А; Idm: -40А" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SISH407DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
93,8нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SISH407DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
21Вт
Сопротивление в открытом состоянии
19,5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-25А
Ток стока в импульсном режиме
-40А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены