Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
25нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-12...16В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SISH536DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
17Вт
Сопротивление в открытом состоянии
4,6мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
54А
Ток стока в импульсном режиме
200А
Отзывы не найдены