SISH536DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 54А; Idm: 200А; 17Вт

SISH536DN-T1-GE3
‍112‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
Цена
86 ₽
58 ₽
45 ₽
44 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SISH536DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 54А; Idm: 200А; 17Вт" 1.

Артикул производителя
SISH536DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
25нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-12...16В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SISH536DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
17Вт
Сопротивление в открытом состоянии
4,6мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
54А
Ток стока в импульсном режиме
200А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены