Москва
 +7(993)080-09-37

SISH625DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А

Написать отзыв
SISH625DN-T1-GE3
154.94 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
Цена
104.79 ₽
74.85 ₽
65.87 ₽
62.13 ₽
Доступность: 3730 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SISH625DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SISH625DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
126нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SISH625DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
33Вт
Сопротивление в открытом состоянии
11мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-35А
Ток стока в импульсном режиме
-80А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России