SISHA04DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 43Вт

SISHA04DN-T1-GE3
‍149‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
Цена
134 ₽
121 ₽
100 ₽
94 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SISHA04DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 43Вт" 1.

Артикул производителя
SISHA04DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
77нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SISHA04DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
43Вт
Сопротивление в открытом состоянии
3,1мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
40А
Ток стока в импульсном режиме
80А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены