SISS05DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -86,6А; Idm: -300А; 42Вт

SISS05DN-T1-GE3
‍180‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
Цена
160 ₽
144 ₽
Доступность: 2577 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "SISS05DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -86,6А; Idm: -300А; 42Вт" 1.

Артикул производителя
SISS05DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
115нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-20...16В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SISS05DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
42Вт
Сопротивление в открытом состоянии
5,8мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-86,6А
Ток стока в импульсном режиме
-300А

Отзывы не найдены

Описание (siss05dn.pdf, 199 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены