SISS10ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 86,8А; Idm: 150А

SISS10ADN-T1-GE3
‍211‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
250+
500+
1000+
3000+
6000+
9000+
Цена
142 ₽
115 ₽
104 ₽
93 ₽
84 ₽
76 ₽
65 ₽
59 ₽
55 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SISS10ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 86,8А; Idm: 150А" 1.

Артикул производителя
SISS10ADN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
61нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
40В
Обозначение производителя
SISS10ADN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
36Вт
Сопротивление в открытом состоянии
3,95мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
86,8А
Ток стока в импульсном режиме
150А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены