SISS23DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -50А; Idm: -200А; 36Вт

SISS23DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

218.54 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
Цена
149.66 ₽
107.99 ₽
94.39 ₽
69.73 ₽
66.33 ₽
Доступность: 3584 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISS23DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -50А; Idm: -200А; 36Вт" 1.

Артикул производителя
SISS23DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
300нC
Код производителя
SISS23DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
36Вт
Сопротивление в открытом состоянии
4,5мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-50А
Ток стока в импульсном режиме
-200А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России