SISS32ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 50,3А; Idm: 120А

SISS32ADN-T1-GE3
‍217‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
Цена
192 ₽
183 ₽
180 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SISS32ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 50,3А; Idm: 120А" 1.

Артикул производителя
SISS32ADN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
36нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
80В
Обозначение производителя
SISS32ADN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
42Вт
Сопротивление в открытом состоянии
8,7мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
50,3А
Ток стока в импульсном режиме
120А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены