SISS588DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 46,5А; Idm: 150А

SISS588DN-T1-GE3
‍278‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
100+
500+
Цена
231 ₽
204 ₽
173 ₽
134 ₽
126 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SISS588DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 46,5А; Idm: 150А" 1.

Артикул производителя
SISS588DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
28,5нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
80В
Обозначение производителя
SISS588DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
36,3Вт
Сопротивление в открытом состоянии
9,3мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
46,5А
Ток стока в импульсном режиме
150А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены