Москва
 +7(993)080-09-37

SISS61DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -89,6А; Idm: -200А

Написать отзыв
SISS61DN-T1-GE3
233.53 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
250+
500+
1000+
Цена
169.16 ₽
116.77 ₽
100.30 ₽
84.58 ₽
76.35 ₽
74.10 ₽
Доступность: 5708 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SISS61DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -89,6А; Idm: -200А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SISS61DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
231нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SISS61DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
42,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
9,8мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-89,6А
Ток стока в импульсном режиме
-200А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России