Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SISS61DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -89,6А; Idm: -200А

Написать отзыв
SISS61DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
265.31 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
250+
500+
1000+
Цена
192.18 ₽
132.65 ₽
113.95 ₽
96.09 ₽
86.73 ₽
84.18 ₽
Доступность: 3838 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISS61DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -89,6А; Idm: -200А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SISS61DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
231нC
Код производителя
SISS61DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
42,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
9,8мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-89,6А
Ток стока в импульсном режиме
-200А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России