Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SISS63DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -102А; Idm: -200А

Написать отзыв
SISS63DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
273.81 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
Цена
188.78 ₽
136.90 ₽
119.90 ₽
112.24 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SISS63DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -102А; Idm: -200А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SISS63DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
236нC
Код производителя
SISS63DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
-20В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
42,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
7мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-102А
Ток стока в импульсном режиме
-200А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России