SISS73DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; ThunderFET; полевой; -150В; -12,9А; Idm: -30А

SISS73DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

316.33 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
100+
500+
Цена
271.26 ₽
243.20 ₽
205.78 ₽
166.67 ₽
160.71 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SISS73DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; ThunderFET; полевой; -150В; -12,9А; Idm: -30А" 1.

Артикул производителя
SISS73DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
22нC
Код производителя
SISS73DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-150В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
42,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,125Ом
Технология
ThunderFET, TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-12,9А
Ток стока в импульсном режиме
-30А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России