SISS80DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 169А; Idm: 300А

SISS80DN-T1-GE3
229.25 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
Цена
173.91 ₽
153.36 ₽
Доступность: 5944 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SISS80DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 169А; Idm: 300А" 1.

Артикул производителя
SISS80DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
122нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-8...12В
Напряжение сток-исток
20В
Обозначение производителя
SISS80DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
42Вт
Сопротивление в открытом состоянии
3мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
169А
Ток стока в импульсном режиме
300А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены