SIUD403ED-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -500мА; Idm: -0,8А

SIUD403ED-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

34.86 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
9000+
15000+
Цена
28.91 ₽
25.51 ₽
17.01 ₽
14.46 ₽
13.61 ₽
12.76 ₽
11.90 ₽
11.90 ₽
11.05 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIUD403ED-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -500мА; Idm: -0,8А" 1.

Артикул производителя
SIUD403ED-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
1,7нC
Код производителя
SIUD403ED-T1-GE3
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Сопротивление в открытом состоянии
4,4Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-500мА
Ток стока в импульсном режиме
-0,8А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России