SIZ980BDT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В

SIZ980BDT-T1-GE3
‍171‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
3000+
Цена
171 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SIZ980BDT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

Артикул производителя
SIZ980BDT-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
18/79нC
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SIZ980BDT-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
20/66Вт
Сопротивление в открытом состоянии
7,12/1,72мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET x2 + Schottky
Ток стока
54,8/197А
Ток стока в импульсном режиме
90...130А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены