Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

SIZF914DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 25В

Написать отзыв
SIZF914DT-T1-GE3
18662 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3000+
Цена
186.62 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "SIZF914DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 25В" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SIZF914DT-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
21/98нC
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
25В
Обозначение производителя
SIZF914DT-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
26,6/60Вт
Сопротивление в открытом состоянии
6,2/1,5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET x2 + Schottky
Ток стока
40/60А
Ток стока в импульсном режиме
130...110А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены