SQ1431EH-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 3Вт

SQ1431EH-T1-GE3
12027 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
50+
100+
500+
3000+
Цена
82.39 ₽
65.34 ₽
60.61 ₽
49.24 ₽
46.40 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SQ1431EH-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 3Вт" 1.

Артикул производителя
SQ1431EH-T1_GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
6,5нC
Корпус
SC70-6, SOT363
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SQ1431EH-T1_GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
3Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,3Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-3А
Ток стока в импульсном режиме
-12А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены