SQ2303ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А

SQ2303ES-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

101.19 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
100+
500+
1000+
3000+
Цена
84.18 ₽
74.83 ₽
51.02 ₽
40.82 ₽
37.41 ₽
35.71 ₽
Доступность: 2870 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2303ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А" 1.

Артикул производителя
SQ2303ES-T1_GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
6,8нC
Код производителя
SQ2303ES-T1_GE3
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,9Вт
Сопротивление в открытом состоянии
370мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-2,5А
Ток стока в импульсном режиме
-10А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России