Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SQ2309ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -1,7А; Idm: -6,8А

Написать отзыв
SQ2309ES-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
107.99 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
3000+
Цена
63.78 ₽
56.12 ₽
50.17 ₽
46.77 ₽
45.07 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SQ2309ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -1,7А; Idm: -6,8А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SQ2309ES-T1_GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
8,5нC
Код производителя
SQ2309ES-T1_GE3
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-60В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
704мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-1,7А
Ток стока в импульсном режиме
-6,8А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России