SQ2325ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -1А; Idm: -2А; 1Вт; SOT23

SQ2325ES-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

174.32 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
1500+
3000+
Цена
125.85 ₽
90.99 ₽
79.08 ₽
59.52 ₽
54.42 ₽
52.72 ₽
51.02 ₽
Доступность: 78 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2325ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -1А; Idm: -2А; 1Вт; SOT23" 1.

Артикул производителя
SQ2325ES-T1_GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
10нC
Код производителя
SQ2325ES-T1_GE3
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-150В
Полярность
полевой
Применение
автомобильная отрасль
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
4,4Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-1А
Ток стока в импульсном режиме
-2А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России