SQ3419EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -6,9А; Idm: -27А

SQ3419EV-T1-GE3
10890 
Оптовые цены:
Кол-во
50+
100+
250+
500+
1000+
1500+
Цена
86.17 ₽
69.13 ₽
63.45 ₽
53.98 ₽
50.19 ₽
48.30 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SQ3419EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -6,9А; Idm: -27А" 1.

Артикул производителя
SQ3419EV-T1_GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
11,3нC
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-40В
Обозначение производителя
SQ3419EV-T1_GE3
Полярность
полевой
Применение
автомобильная отрасль
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
86мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-6,9А
Ток стока в импульсном режиме
-27А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены