SQD100N04-3M6L-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А

SQD100N04-3M6L-GE3
196.05 
Оптовые цены:
Кол-во
2000+
Цена
196.05 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SQD100N04-3M6L-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 2000.

Артикул производителя
SQD100N04-3M6L-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
130нC
Корпус
TO252
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
40В
Обозначение производителя
SQD100N04-3M6L-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
136Вт
Сопротивление в открытом состоянии
7мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
100А
Ток стока в импульсном режиме
400А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены