SQJ170ELP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 63А; Idm: 66А; 136Вт

SQJ170ELP-T1-GE3
87.75 
Оптовые цены:
Кол-во
3000+
Цена
87.75 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SQJ170ELP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 63А; Idm: 66А; 136Вт" 3000.

Артикул производителя
SQJ170ELP-T1_GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
12нC
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Обозначение производителя
SQJ170ELP-T1_GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
136Вт
Сопротивление в открытом состоянии
34мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
63А
Ток стока в импульсном режиме
66А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены