SQS141ELNW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -79А; Idm: -227А

SQS141ELNW-T1-GE3
10133 
Оптовые цены:
Кол-во
3000+
Цена
101.33 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SQS141ELNW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -79А; Idm: -227А" 1.

Артикул производителя
SQS141ELNW-T1_GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
141нC
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-40В
Обозначение производителя
SQS141ELNW-T1_GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
119Вт
Сопротивление в открытом состоянии
19мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-79А
Ток стока в импульсном режиме
-227А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены