Вид микросхемы
контроллер затвора SiC MOSFET
Вид упаковки
бобина, лента
Время нарастания импульса
30нс
Время падения импульса
30нс
Выходное напряжение
1,7кВ
Выходной ток
-4...4А
Кол-во каналов
1
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение изоляции
4,8кВ
Обозначение производителя
STGAP2SICSNCTR
Производитель
STMicroelectronics
Рабочая температура
-40...125°C
Тип микросхемы
driver
Характеристики интегральных схем
гальваническая развязка
Отзывы не найдены