STGAP2SICSNCTR, IC: driver; контроллер затвора SiC MOSFET; SO8; -4÷4А; 1,7кВ; Ch: 1

STGAP2SICSNCTR
000 
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "STGAP2SICSNCTR, IC: driver; контроллер затвора SiC MOSFET; SO8; -4÷4А; 1,7кВ; Ch: 1" 1.

Артикул производителя
STGAP2SICSNCTR STMicroelectronics
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид микросхемы
контроллер затвора SiC MOSFET
Вид упаковки
бобина, лента
Время нарастания импульса
30нс
Время падения импульса
30нс
Выходное напряжение
1,7кВ
Выходной ток
-4...4А
Кол-во каналов
1
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение изоляции
4,8кВ
Обозначение производителя
STGAP2SICSNCTR
Производитель
STMicroelectronics
Рабочая температура
-40...125°C
Тип микросхемы
driver
Характеристики интегральных схем
гальваническая развязка

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены