Вид микросхемы
контроллер затвора SiC MOSFET
Вид упаковки
бобина, лента
Время нарастания импульса
30нс
Время падения импульса
30нс
Выходное напряжение
1,2кВ
Выходной ток
-4...4А
Кол-во каналов
1
Корпус
SO8-W
Монтаж
SMD
Напряжение изоляции
6кВ
Обозначение производителя
STGAP2SICSTR
Производитель
STMicroelectronics
Рабочая температура
-40...125°C
Тип микросхемы
driver
Характеристики интегральных схем
гальваническая развязка
Отзывы не найдены