STGAP2SICSTR, IC: driver; контроллер затвора SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4А; 1,2кВ

STGAP2SICSTR
534.39 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
50+
100+
250+
Цена
428.46 ₽
385.77 ₽
341.50 ₽
314.62 ₽
294.07 ₽
284.58 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "STGAP2SICSTR, IC: driver; контроллер затвора SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4А; 1,2кВ" 1.

Артикул производителя
STGAP2SICSTR STMicroelectronics
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид микросхемы
контроллер затвора SiC MOSFET
Вид упаковки
бобина, лента
Время нарастания импульса
30нс
Время падения импульса
30нс
Выходное напряжение
1,2кВ
Выходной ток
-4...4А
Кол-во каналов
1
Корпус
SO8-W
Монтаж
SMD
Напряжение изоляции
6кВ
Обозначение производителя
STGAP2SICSTR
Производитель
STMicroelectronics
Рабочая температура
-40...125°C
Тип микросхемы
driver
Характеристики интегральных схем
гальваническая развязка

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены