STGAP2SICSTR, IC: driver; контроллер затвора SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4А; 1,2кВ

STGAP2SICSTR

Срок поставки 4-6 недель

735.41 
Оптовые цены:
Кол-во
4+
10+
25+
50+
100+
250+
500+
1000+
2000+
Цена
645.03 ₽
585.87 ₽
533.28 ₽
500.41 ₽
473.29 ₽
441.25 ₽
423.17 ₽
405.09 ₽
390.30 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "STGAP2SICSTR, IC: driver; контроллер затвора SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4А; 1,2кВ" 1.

Артикул производителя
STGAP2SICSTR STMicroelectronics
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид микросхемы
контроллер затвора SiC MOSFET
Вид упаковки
бобина, лента
Время нарастания импульса
30нс
Время падения импульса
30нс
Выходное напряжение
1,2кВ
Выходной ток
-4...4А
Код производителя
STGAP2SICSTR
Кол-во каналов
1
Корпус
SO8-W
Монтаж
SMD
Напряжение изоляции
6кВ
Производитель
STMicroelectronics
Рабочая температура
-40...125°C
Тип микросхемы
driver
Характеристики интегральных схем
гальваническая развязка

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России