Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
ISOTOP
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
STGE200NB60S
Обратное напряжение макс.
0,6кВ
Производитель
STMicroelectronics
Рассеиваемая мощность
600Вт
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
150А
Ток коллектора в импульсе
400А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены