Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
ACEPACK SMIT
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
STGSH80HB65DAG
Обратное напряжение макс.
650В
Производитель
STMicroelectronics
Рассеиваемая мощность
250Вт
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
68А
Ток коллектора в импульсе
269А
Топология
полумост IGBT
Электрический монтаж
SMT
Отзывы не найдены