STGSH80HB65DAG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В

STGSH80HB65DAG
5 430.83 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
200+
600+
Цена
4 899.60 ₽
4 314.62 ₽
3 876.68 ₽
3 620.55 ₽
3 364.43 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "STGSH80HB65DAG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Артикул производителя
STGSH80HB65DAG STMicroelectronics
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
ACEPACK SMIT
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
STGSH80HB65DAG
Обратное напряжение макс.
650В
Производитель
STMicroelectronics
Рассеиваемая мощность
250Вт
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
68А
Ток коллектора в импульсе
269А
Топология
полумост IGBT
Электрический монтаж
SMT

Отзывы не найдены

Описание (stgsh80hb65dag.pdf, 1,149 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены