STGW30M65DF2, Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 258Вт; TO247-3

STGW30M65DF2

Срок поставки 4-6 недель

667.21 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
120+
Цена
599.84 ₽
531.64 ₽
477.40 ₽
444.54 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "STGW30M65DF2, Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 258Вт; TO247-3" 1.

Артикул производителя
STGW30M65DF2 STMicroelectronics
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Заряд затвора
80нC
Код производителя
STGW30M65DF2
Корпус
TO247-3
Монтаж
THT
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Производитель
STMicroelectronics
Рассеиваемая мощность
258Вт
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
30А
Ток коллектора в импульсе
120А
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode

Отзывы не найдены

Описание (stgw30m65df2.pdf, 747 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России