Вид канала
обогащенный
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
STS5P3LLH6
Полярность
полевой
Производитель
STMicroelectronics
Рассеиваемая мощность
2,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии
56мОм
Технология
STripFET™ H6
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-3,2А
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Отзывы не найдены