SUD20N10-66L-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 16,9А; Idm: 25А

SUD20N10-66L-GE3
60.87 
Оптовые цены:
Кол-во
2000+
Цена
60.87 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SUD20N10-66L-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 16,9А; Idm: 25А" 2000.

Артикул производителя
SUD20N10-66L-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
30нC
Корпус
TO252
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
SUD20N10-66L-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
41,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
16,9А
Ток стока в импульсном режиме
25А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены