Версия
ESD
Вид упаковки
бобина, лента
Импульсный ток
4А
Конструкция диода
двойной, общий анод
Корпус
DFN1006-3
Монтаж
SMD
Напряжение пробоя
7...9В
Обозначение производителя
TESDH5V0U04P2Q1 RNG
Обратное напряжение макс.
5В
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
60Вт
Тип диода
TVS, сборка
Ток утечки
0,1мкА
Отзывы не найдены