TN2010H-6G-TR, Тиристор; 600В; Ifмакс: 20А; 8А; Igt: 10мА; D2PAK; SMD; бобина,лента

TN2010H-6G-TR

Срок поставки 4-6 недель

304.31 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
Цена
192.73 ₽
130.18 ₽
121.72 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "TN2010H-6G-TR, Тиристор; 600В; Ifмакс: 20А; 8А; Igt: 10мА; D2PAK; SMD; бобина,лента" 1.

Артикул производителя
TN2010H-6G-TR STMicroelectronics
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
бобина, лента
Импульсный ток
180А
Код производителя
TN2010H-6G-TR
Корпус
D2PAK
Монтаж
SMD
Обратное напряжение макс.
0,6кВ
Производитель
STMicroelectronics
Прямой ток
Прямой ток макс.
20А
Тип тиристора
тиристор
Ток управления
10мА
Характеристики полупроводниковых элементов
high temperature

Отзывы не найдены

Описание (tn2010h-6g.pdf, 409 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России