TSG65N068CE RVG, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 30А; Idm: 60А; PDFN88

TSG65N068CE-RVG
5 020.16 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
3000+
Цена
4 517.83 ₽
3 979.84 ₽
3 586.05 ₽
3 334.88 ₽
3 102.33 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "TSG65N068CE RVG, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 30А; Idm: 60А; PDFN88" 1.

Артикул производителя
TSG65N068CE RVG TAIWAN SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид транзистора
HEMT
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
6,7нC
Корпус
PDFN88
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-10...7В
Напряжение сток-исток
650В
Обозначение производителя
TSG65N068CE RVG
Полярность
полевой
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Сопротивление в открытом состоянии
68мОм
Технология
GaN
Тип транзистора
N-JFET
Ток стока
30А
Ток стока в импульсном режиме
60А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены