Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

UCC27211DDAR, IC: driver; Н мост,полумост MOSFET; SO8-EP; 4А; 50÷290мВ; Ch: 2

Написать отзыв
UCC27211DDAR
35795 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
2500+
5000+
Цена
321.97 ₽
284.09 ₽
254.73 ₽
238.64 ₽
231.06 ₽
224.43 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "UCC27211DDAR, IC: driver; Н мост,полумост MOSFET; SO8-EP; 4А; 50÷290мВ; Ch: 2" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
UCC27211DDAR TEXAS INSTRUMENTS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид микросхемы
high-/low-side, контроллер затвора MOSFET
Вид упаковки
бобина, лента
Время нарастания импульса
600нс
Время падения импульса
400нс
Выходное напряжение
50...290мВ
Выходной ток
4А
Кол-во каналов
2
Корпус
SO8-EP
Монтаж
SMD
Обозначение производителя
UCC27211DDAR
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Рабочая температура
-40...140°C
Тип микросхемы
driver
Топология
Н мост, полумост MOSFET

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены