VNS1NV04DPTR-E, IC: power switch; low-side; 1,7А; Ch: 2; SMD; SO8; бобина,лента

VNS1NV04DPTR-E
331.78 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
2500+
Цена
322.48 ₽
313.18 ₽
289.92 ₽
248.06 ₽
229.46 ₽
220.16 ₽
213.95 ₽
204.65 ₽
Доступность: 2454 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "VNS1NV04DPTR-E, IC: power switch; low-side; 1,7А; Ch: 2; SMD; SO8; бобина,лента" 1.

Артикул производителя
VNS1NV04DPTR-E STMicroelectronics
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид микросхемы
low-side
Вид упаковки
бобина, лента
Выходное напряжение
40В
Выходной ток
1,7А
Кол-во каналов
2
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Обозначение производителя
VNS1NV04DPTR-E
Производитель
STMicroelectronics
Сопротивление в открытом состоянии
0,33Ом
Тип микросхемы
power switch

Отзывы не найдены

Описание (vns1nv04dp-e.pdf, 409 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены