VS-GT100DA120UF, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; SOT227B

VS-GT100DA120UF
10 937 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
100+
Цена
9 699 ₽
8 993 ₽
8 267 ₽
7 677 ₽
Доступность: 5 шт.
+

Минимальное количество для товара "VS-GT100DA120UF, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; SOT227B" 1.

Артикул производителя
VS-GT100DA120UF VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
VS-GT100DA120UF
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
VISHAY
Технология
Trench
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
100А
Ток коллектора в импульсе
240А
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Описание (vs-gt100da120uf.pdf, 186 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены