Код производителя
VS-GT180DA120U
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
VISHAY
Технология
Trench
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
185А
Ток коллектора в импульсе
390А
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены