Код производителя
VS-GT300YH120N
Конструкция диода
диод/транзистор
Корпус
Dual INT-A-Pak
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
VISHAY
Технология
Trench
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
300А
Ток коллектора в импульсе
720А
Топология
полумост MOSFET + последовательные диоды
Электрический монтаж
винтами, коннекторы FASTON
Отзывы не найдены