VS-GT80DA120U, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 80А; SOT227B

VS-GT80DA120U
9 80966 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
100+
Цена
8 706.44 ₽
8 061.55 ₽
7 435.61 ₽
6 898.67 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "VS-GT80DA120U, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 80А; SOT227B" 1.

Артикул производителя
VS-GT80DA120U VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
VS-GT80DA120U
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
VISHAY
Технология
Trench
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
80А
Ток коллектора в импульсе
170А
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены