VS-GT80DA120U, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 80А; SOT227B

VS-GT80DA120U

Срок поставки 4-6 недель

9 982.50 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
100+
Цена
8 858.33 ₽
8 202.50 ₽
7 565.83 ₽
7 015.83 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "VS-GT80DA120U, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 80А; SOT227B" 1.

Артикул производителя
VS-GT80DA120U VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Код производителя
VS-GT80DA120U
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
VISHAY
Технология
Trench
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
80А
Ток коллектора в импульсе
170А
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Описание (vs-gt80da120u.pdf, 181 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России