WG50N65HFW1Q, Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 227Вт; TO247-3

WG50N65HFW1Q

Срок поставки 4-6 недель

602.30 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
30+
120+
240+
480+
Цена
543.96 ₽
484.80 ₽
432.21 ₽
403.45 ₽
372.23 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "WG50N65HFW1Q, Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 227Вт; TO247-3" 1.

Артикул производителя
WG50N65HFW1Q WeEn Semiconductors
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Заряд затвора
138нC
Код производителя
WG50N65HFW1Q
Корпус
TO247-3
Монтаж
THT
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Производитель
WeEn Semiconductors
Рассеиваемая мощность
227Вт
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
150А
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России