Код производителя
WMSC008H12B1P6T
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
-4...18В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Производитель
WeEn Semiconductors
Рассеиваемая мощность
244Вт
Сопротивление в открытом состоянии
8мОм
Технология
SiC
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
153А
Ток стока в импульсном режиме
300А
Топология
полумост MOSFET, термистор NTC
Электрический монтаж
Press-in PCB
Отзывы не найдены