Код производителя
WMSC010H12B1P6T
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
-4...18В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Производитель
WeEn Semiconductors
Рассеиваемая мощность
152Вт
Сопротивление в открытом состоянии
10мОм
Технология
SiC
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
107А
Ток стока в импульсном режиме
210А
Топология
полумост MOSFET, термистор NTC
Электрический монтаж
Press-in PCB
Отзывы не найдены