WMSC030H12B1P6T, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 53А; Press-in PCB; Idm: 100А

WMSC030H12B1P6T
7 113.04 
Оптовые цены:
Кол-во
4+
8+
16+
32+
80+
160+
Цена
6 400.00 ₽
5 650.59 ₽
5 083.00 ₽
4 735.18 ₽
4 406.32 ₽
4 241.90 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "WMSC030H12B1P6T, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 53А; Press-in PCB; Idm: 100А" 1.

Артикул производителя
WMSC030H12B1P6T WeEn Semiconductors
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
транзистор/транзистор
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
-4...18В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
WMSC030H12B1P6T
Производитель
WeEn Semiconductors
Рассеиваемая мощность
111Вт
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм
Технология
SiC
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
53А
Ток стока в импульсном режиме
100А
Топология
полумост MOSFET, термистор NTC
Электрический монтаж
Press-in PCB

Отзывы не найдены

Описание (wmsc030h12b1p6t.pdf, 983 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены