WMSC030H12B1P6T, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 53А; Press-in PCB; Idm: 100А

WMSC030H12B1P6T

Срок поставки 4-6 недель

8 244.17 
Оптовые цены:
Кол-во
4+
8+
16+
32+
80+
160+
Цена
7 417.50 ₽
6 548.33 ₽
5 892.50 ₽
5 489.17 ₽
5 107.50 ₽
4 916.67 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "WMSC030H12B1P6T, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 53А; Press-in PCB; Idm: 100А" 1.

Артикул производителя
WMSC030H12B1P6T WeEn Semiconductors
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Код производителя
WMSC030H12B1P6T
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
-4...18В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Производитель
WeEn Semiconductors
Рассеиваемая мощность
111Вт
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм
Технология
SiC
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
53А
Ток стока в импульсном режиме
100А
Топология
полумост MOSFET, термистор NTC
Электрический монтаж
Press-in PCB

Отзывы не найдены

Описание (wmsc030h12b1p6t.pdf, 983 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России