Вид микросхемы
high-side, источник тока
Вид упаковки
бобина, лента
Входной ток смещения
4мкА
Диапазон напряжения питания
2,5...36В DC
Корпус
SOT25
Монтаж
SMT
Обозначение производителя
ZXCT1110QW5-7
Полоса передаваемых частот
650кГц
Производитель
DIODES INCORPORATED
Рабочая температура
-40...125°C
Тип микросхемы
измерительный усилитель
Ток покоя
3мкА
Отзывы не найдены